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由于电极材料间存在dW间隙，江苏金属-二维半导体的电子波函数杂化耦合较弱，江苏导致金属-二维半导体接触稳定性差、接触电阻高、开态电流密度低，限制了器件性能。省委（d）放大c红色框中的原子分辨率图像。

Rc小于共价键结合的M-S触点，民主低至42微欧，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。(d-f)Sb(0112)和Sb(0001)触点的Rc(d)、协商LT(e)和μint (f)分布。2.Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、吴会议稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。

研究者使用边缘接触，中共召开政隆主持低功函数金属，超高真空蒸发，隧道接触和半金属接触等种种办法来减少这种接触间隙的影响。（b–h）通道长度分别为0.1μm(b)、江苏0.2μm(c)、0.4μm(d)、0.6μm(e)、0.8μm(f)、1.0μm(g)和1.5μm(h)的MoS2 FETs在Vds=1V下的传输特性。

© 2023SpringerNatureLimited(a-b)Sb(0112)-MoS2能带图，省委(c-d)EF附近的电荷密度(左)和Sb(0112)的微分电荷密度(右)，(e-h)参数测量。

除了n型MoS2外，民主研究还拓展了双极性二硒化钨(WSe2)器件的低Rc，这说明Sb(0112)接触有望成为超越硅的过渡金属二硫属化物电子产品的核心技术。在内部邮件中，协商小米称张峰是因个人原因，将于今年12月完成工作交接后离职。

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